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Gallium Arsenide (GAAS) Halbleitermaterialien weisen eine hohe Elektronenmobilität (etwa 5,7 mal der von Silizium) und die Breitbandlückenstruktur im Vergleich zu herkömmlichen Siliziummaterialien auf. weiterlesen »
In der Leuchtstofflampenfassung in der Nähe des gemeinsamen schwärzenden Phänomens, das das am meisten bewährte Beispiel ist, liegt dies auf die Leuchtstofflampenelektrode, die mit der umgebenden Formation aufgesputtert ist und an der Umgebung befestigt ist. weiterlesen »
Nickel Plus 7wt% Vanadium (NIV7) ist eine der wichtigsten Dünnschichtlegierung im Bereich der Halbleiter. Es verfügt über die wünschenswerten chemischen, elektrischen und optischen Eigenschaften von reinem Ni, wobei der zusätzlichen Vorteil nicht ferromagnetisch ist. weiterlesen »
Chalkogenidgläser bestehen aus der Mischung aus den Chalcogen-Elementen: Schwefel (en), Selen (SE) und Tellurium (TE). Die Zugabe von anderen Elementen wie Arsen, Germanium und Antimon etabliert die Vernetzung zwischen den Ketten von Chalcogenen, um eine stabile Glasformation zu erleichtern. weiterlesen »
Cadmium Arsenid ist eine chemische Verbindung von Cadmium und Arsen. Es ist ein Halbleiter und wird in Infrarot-Detektoren, Drucksensoren, Magnetowiderständen und Fotodetektoren verwendet. weiterlesen »
Zink-Selenid oxidiert signifikant bei 300 ° C, zeigt eine plastische Verformung bei etwa 500 ° C und dissoziiert etwa 700 ° C. Zur Sicherheit sollten Zink-Selenidfenster in der normalen Atmosphäre nicht über 250 ° C verwendet werden. weiterlesen »
Magnetron-Sputtern, als ein sehr wirksames Verfahren zur Dünnfilmabscheidung, wurde in vielen Bereichen in vielen Bereichen weitgehend angewendet, insbesondere in den Bereichen der Mikroelektronik, der optischen Dünnfilm- und Materialoberflächenbehandlung, zur Dünnfilmabscheidung und der Vorbereitung der Oberflächenbeschichtung. weiterlesen »
In den letzten Jahren wurden funktionelle Filme von Polymersubstraten immer häufiger in verschiedenen Feldern verwendet, insbesondere für Filme mit optischen Funktionen. Polymerfilme (wie PET, PC, PMMA, PVC, TAC usw.) verfügen über hervorragende optische und physikalische und mechanische Eigenschaften. weiterlesen »
Galliumarsenid (GaAs) ist eine Verbindung, die aus den Elementen Gallium und Arsen gebaut ist. Es wird oft als III-V-Verbindung bezeichnet, da Gallium und Arsen in der III-Gruppe bzw. V-Gruppe des Periodensystems sind. weiterlesen »
Molybdän-Diselenid (mose2) ist eine anorganische Verbindung von Molybdän und Selen. Seine Struktur ist dem von Mos2 ähnlich. Verbindungen dieser Kategorie sind als Übergangsmetall-Dichalkogenide, abgekürzte TMDCs bekannt. weiterlesen »
Kupfer Indium Gallium SelenideCopper Indium Gallium (DI) Selenid (CIGS) ist ein I-III-VI2-Halbleitermaterial, das aus Kupfer, Indium, Gallium und Selen besteht. Das Material ist eine feste Lösung von Kupferiniumselenid (oft abgekürzt \"cis \") und Kupfergalliumselenid. weiterlesen »
ITO-Zerstäubungsziel und seine Derivate, wie ITO-Folie und ITO-Glas, werden in allen Wanderungen weit verbreitet. Möglicherweise werden Targets verwendet, um transparente leitfähige Beschichtungen für Flüssigkristallanzeigen (LCDs), Flachbildschilde, Plasmaanzeigen und Berühren Paneele. weiterlesen »
Sputtern ist ein physikalischer Dampfabscheidungsmechanismus (PVD), in dem Atome von der Oberfläche eines Materials ausgestoßen werden, wenn diese Oberfläche von ausreichend hohen Energiepartikeln stecken. weiterlesen »
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