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Ti3sic2 Sinterziel.

TI3SIC2 ist ein hexagonaler Kristall, der aus einer planaren SI-Schicht besteht, die durch TI C OctaeDron angeschlossen ist, um eine geschichtete Struktur zu bilden.
Ti3sic2-ähnliches Metall hat einen ausgezeichneten Wärmeleiter, der leicht zu verarbeiten, relativ \"weich \", nicht empfindlich gegenüber thermischem Schlag, wie Keramiken mit gutem Oxidationswiderstand, der wichtigste ist immer noch hohe Festigkeit bei hoher Temperatur. TI3SIC2 integriert die Eigenschaften von Keramik und Metall, hochelastischem Modul, hoher Schmelzpunkt und hoher Temperaturstabilität spiegeln die Eigenschaften ähnlicher Keramiken wider;
Charakter:
Dichte: 4.64g / cm2,
Widerstand: ~ 10 Ω
Kein Farbunterschied, keine Flecken.

ZRS2-Pulver, 99,9%, -100mesh

Zirkoniumdisulfid (ZRS2) hat eine geschichtete Struktur und gehört zu Gruppe IV-Übergangsmetalldichalkogeniden (TMDCs). ZRS2 ist thermodynamisch stabil, umweltfreundlich mit hoher Empfindlichkeit und kostengünstiger Produktion. ZRS2-Monoschichten zeigten offensichtliche N-Typ-Transporteigenschaften mit relativ hoher Mobilität.

Anwendungen:
ZRS2 ist ein vielversprechendes Material für die Optoelektronik aufgrund seiner größeren Trägermobilität bei Raumtemperatur und höherer Stromdichte als MOS2, die für Geräte mit niedriger Leistung wünschenswert sind. Mit einer indirekten BandgAP um 1,7 EV und direkter BandgAP um 2,0 EV für den Monolayer findet ZRS2 Anwendungen in Thermoelektriken, Schottky-Solarzellen, Fotodetektoren, FETs und katalytischer Wasserstoffproduktion.
ZRS2 2D-Nanomaterialien haben eine hohe Elektronenmobilität, d. H. 1200 cm2 / Vs, was mehr als dreimal größer als die der weit untersuchten Mos2 (340 cm2 / vs) ist. FET-Geräte, die auf ZRS2 basieren, haben eine höhere elektronische Empfindlichkeit und hervorragende halbleitende Eigenschaften. Berechnungen zeigten, dass der Tunneling-Feldeffekt-Transistoren basierende Tunnel-Felder-Transistoren (TFETs) Blechstromdichten von bis zu 800 μA / μm (100-fach höher als die von MOS2) aufweisen können, wodurch der Anstieg des hohen Anwendungspotentials in Niedergutiergeräten führt.

Izo Sputtering-Ziel, 99,9%

Produktname: Indium Zinkoxid (IZO) Zerstäubungsziele
Formel: IZO (IN2O3 / ZnO, 90/10 Gew .-%)
Reinheit: 99,9%
Form: Rechteckziele, maßgeschneidert
Größe: 249,6 * 125 * 6mm

Das Izo-Keramikziel (99,99% in Reinheit und Dichte) umfasst 90 Gew .-% von LN2O3 und 10 Gew .-% ZnO. Das Gleichstrom-Magnetron-Sputtersystem (DC) wird für die Filmabscheidung verwendet. Ohne / mit der ionenunterstützten Abscheidung (IAD) -Technik sind die elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften dieser Filme, die von verschiedenen Gleichstromkräften (wie 50 W, 80 W und 100 W) hergestellt wurden, ein optimaler ICO-Abscheidungszustand, der ist Entwickelt für flexible Anwendungen mit organischer Lichtemissionsgeräte (OLED).

Hafnium-Hartmetallpulver

HAFNIUM-Hartmetallpulvermaterial, molekulare Formel HFC, Natriumchlorid-Typ Kubisches Kristallsystem, grau-schwarzes Pulver, Schmelzpunkt 3890 ℃, theoretische Dichte 12,7 g / cm3, Wärmeleitfähigkeit beträgt 6,28 【W (M · k) -1】 (20 ℃), Volumenwiderstand 1.95 * 10-4Ω · cm (2900 ℃), Wärmeausdehnungskoeffizient 6.73 * 10-6 /, der Widerstand von 40 ~ 50 / μΩ · cm, elastischer Modul 35,9 * 103mpa, Druckfestigkeit 1380MPA. Sehr geeignet für Raketendüsen, die als Nasenkegel von Re-Entrief-Weltraumraketen verwendet werden können. Wird in Keramiken und anderen Branchen verwendet.
Ein Magnetron-Sputtern-Verfahren zur Herstellung von Silberzinnoxid-Verbundschichten
Unser Unternehmen hat ein Magnetron-Zerstäubungsverfahren zur Herstellung von Silberzinnoxid-Verbundbeschichten entwickelt. Mit Magnetron-Zerstäubungen zeigten sich die Sputtern-Technologie, basierend auf der Optimierung der Gradientenschnittstelle auf der Membranbasis-Übergangszone und der Sedimentprozessparametersteuerung und -koordination, machen den Silberzinnoxid-Verbundwerkstoffe Die Beschichtung kann im Prozess des Sedimentkasses und in Kombination mit der festen Beschichtung erreicht werden und kann in dem Prozess der Abscheidungsbeschichtungsspannung rechtzeitig freigegeben werden, um das kontinuierliche Beschichtungswachstum zu gewährleisten. Die durch dieses Verfahren hergestellte Silberzinnoxid-Beschichtung hat einen guten Kontaktwiderstand und die Oberflächenrauheit, und das nanische Zinnoxid ist gleichmäßig in der Silbermatrix verteilt, was den ARC-Ablativwiderstand und die Lebensdauer im Vergleich zum herkömmlichen Prozess erheblich verbessern kann. Die erfindungsgemäße Methode hat weniger Arbeitsverfahren, hohe Effizienz , grüner Umweltschutz, einfachen Betrieb der Ausrüstung und gut Industrieanwendungsaussicht.
Ein Edelmetall- / Oxid-Verbundfilm mit katalytischen Eigenschaften und einem Zubereitungsverfahren davon
Unser Unternehmen entwickelte erfolgreich eine Art Edelmetall- / Oxid-Verbundmembran mit katalytischen Eigenschaften und seinem Herstellungsverfahren, wobei das Verfahren durch Magnetron-Zerstäubungs-Technik zuerst hergestellt wird Metall- / Oxid-Verbundmembran mit katalytischen Eigenschaften.Dieser Prozess umweltfreundlich, einfach, ohne die Verwendung von toxischem und schädlichem chemischem Reagenz, hat der Keller keine besonderen Anforderungen, die katalytische Leistung durch zwei Schritte, die zusammengesetzte Filmfilmhäfer, in der Redox Reaktion, chemische Stromquelle, Schadstoffabbau, optoelektronische Geräte und andere Felder haben ein gutes Anwendungspotenzial und -aussichten, denn der industrielle Anwendung der katalytischen Membran bietet einen neuen Gedanken an die Universal-Technologie.

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