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FORSCHUNG & ENTWICKLUNG

JedenJahr, investieren wir einen großen Betrag wie F & E-Fonds. Wir nehmen immer die Forschung und Entwicklung neuer Produkte und neue Technologien als oberste Priorität der Operation unseres Unternehmens.OIhre F & E-Ingenieure haben viele Fähigkeiten und Erfahrung beherrschts, Bieten wir diese F & E-kundenspezifischen Produktionsdienste für Kunden an.

Ti3sic2 Sinterziel.

TI3SIC2 ist ein hexagonaler Kristall, der aus einer planaren SI-Schicht besteht, die durch TI C OctaeDron angeschlossen ist, um eine geschichtete Struktur zu bilden.
Ti3sic2-ähnliches Metall hat einen hervorragenden Wärmeleiter, der leicht zu verarbeiten, relativ \"weich \", nicht empfindlich gegen thermischem Schock, wie Keramik mit gutem Oxidationswiderstand, der wichtigste ist immer noch hohe Festigkeit bei hoher Temperatur. Ti3SIC2 integriert die Eigenschaften von Keramik und Metall, hochelastischem Modul, hoher Schmelzpunkt und hoher Temperaturstabilität spiegeln die Eigenschaften ähnlicher Keramiken wider;

Charakter:

Dichte: 4,64 g / cm2,
Widerstand: ~ 10 Ω
Kein Farbunterschied, keine Flecken.

ANFRAGEN

ZRS2-Pulver, 99,9%, -100mesh

Zirkoniumdisulfid (ZRS2) hat eine geschichtete Struktur und gehört zu Gruppe IV-Übergangsmetalldichalkogeniden (TMDCs). ZRS2 ist thermodynamisch stabil, umweltfreundlich mit hoher Empfindlichkeit und kostengünstiger Produktion. ZRS2-Monoschichten zeigten offensichtliche N-Typ-Transporteigenschaften mit relativ hoher Mobilität.
Anwendungen:

ZRS2 ist ein vielversprechendes Material für die Optoelektronik aufgrund seiner größeren Trägermobilität bei Raumtemperatur und höherer Stromdichte als MOS2, die für Low-Power-Geräte wünschenswert sind. Mit einer indirekten BandgAP um 1.7 eV und direkter BandgAP um 2.0 eV für den Monoschicht findet ZRS2 Anwendungen in Thermoelektriken, SCHOTTKY-Solarzellen, Fotodetektoren, FETs und katalytischer Wasserstoffproduktion.
ZRS2 2D-Nanomaterialien haben eine hohe Elektronenmobilität, d. H. 1200 cm2 / Vs, was mehr als dreimal größer als die der weit untersuchten MOS2 (340 cm² / vs) ist. FET-Geräte, die auf ZRS2 basieren, haben eine höhere elektronische Empfindlichkeit und hervorragende halbleitende Eigenschaften. Berechnungen zeigten, dass der TRS2-basierte Tunnelfelder-Transistoren (TFETs) Blechstromdichten von bis zu 800 μA / μm (100-fach höher als die von MOS2) aufweisen können, was den Anstieg des großen Anwendungspotentials in Niedergutiergeräten ergibt.

ANFRAGEN

Izo Sputtering-Ziel, 99,9%

Produktname: Indium-Zinkoxid (IZO) Zerstäubungsziele
Formel: IZO (IN2O3 / ZnO, 90/10 Gew .-%)
Reinheit: 99,9%
Form: Rechteckziele, maßgeschneidert
Größe: 249,6 * 125 * 6mm
Das Izo-Keramik-Target (99,99% in Reinheit und Dichte) umfasst 90 Gew .-% von LN2O3 und 10 Gew .-% ZnO. Das Gleichstrom-Magnetron-Sputtersystem (DC) wird für die Filmabscheidung verwendet. Ohne / mit der ionenunterstützten Abscheidung (IAD) -Technik sind die elektrischen, optischen und strukturellen Eigenschaften dieser Filme, die durch verschiedene Gleichstrommähle (wie 50 W, 80 W und 100 W) hergestellt werden, ein optimaler ICO-Abscheidungszustand, der ist Entwickelt für flexible Anwendungen mit Bio-Licht emittierenden Geräten (OLED).

ANFRAGEN

Hafnium-Hartmetallpulver

HAFNIUM-Hartmetallpulvermaterial, molekulare Formel HFC, Natriumchlorid-Typ Kubisches Kristallsystem, grau-schwarzes Pulver, Schmelzpunkt 3890 ℃, theoretische Dichte 12,7 g / cm3, Wärmeleitfähigkeit beträgt 6,28 【W (M · k) -1】 (20 ℃), Volumenwiderstand 1.95 * 10-4Ω · cm (2900 ℃), Wärmeausdehnungskoeffizient 6.73 * 10-6 /, der Widerstand von 40 ~ 50 / μΩ · cm, elastischer Modul 35,9 * 103mpa, Druckfestigkeit 1380MPA. Sehr geeignet für Raketendüsen, die als Nasenkegel von Re-Entrief-Weltraumraketen verwendet werden können. Wird in Keramiken und anderen Branchen verwendet.

ANFRAGEN

Hafnium-Hartmetallpulver zum Verkauf-Funcmater

R & D-Felder

Chalcogenid neue Materialien.
Nano Pulver Neue Materialien
Beschichtungsfilm Neue Materialien