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Charakteristisch
Tantalnitrid (Tan) ist eine chemische Verbindung, ein Nitrid von Tantal. Es gibt mehrere Phasen von Verbindungen, stöchimetrisch von der TA2N zu ta.3N5 einschließlich Tan.
Chemische Formel: Tan
Molar Masse: 194.955 g / mol
Aussehen: Schwarze Kristalle
Dichte: 14,3 g / cm3
Schmelzpunkt: 3,090 ° C (5,590 ° F; 3,360 k)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Kristallstruktur: Hexagonal, HP6
Anwendung
Manchmal wird in der integrierten Schaltungsherstellung verwendet, um eine Diffusionsbarriere oder \"Klebstofflager zwischen Kupfer oder anderen leitfähigen Metallen zu erstellen. Im Falle der Beol-Verarbeitung (bei c. 20 nm) wird Kupfer zuerst mit Tantal beschichtet, dann mit Tan unter Verwendung der physikalischen Dampfabscheidung (PVD); Dieses barrierebeschichtete Kupfer wird dann mit mehr Kupfer durch PVD beschichtet und mit elektrolytisch beschichtetem Kupfer infriert, bevor er mechanisch verarbeitet wird.
Es hat auch Anwendung in dünnen Filmwiderständen. Es hat den Vorteil gegenüber Nichrome-Widerständen, einen passivierenden Oxidfilm zu bilden, der gegen Feuchtigkeit resistent ist.
Charakteristisch
Tantalnitrid (Tan) ist eine chemische Verbindung, ein Nitrid von Tantal. Es gibt mehrere Phasen von Verbindungen, stöchimetrisch von der TA2N zu ta.3N5 einschließlich Tan.
Chemische Formel: Tan
Molar Masse: 194.955 g / mol
Aussehen: Schwarze Kristalle
Dichte: 14,3 g / cm3
Schmelzpunkt: 3,090 ° C (5,590 ° F; 3,360 k)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Kristallstruktur: Hexagonal, HP6
Anwendung
Manchmal wird in der integrierten Schaltungsherstellung verwendet, um eine Diffusionsbarriere oder \"Klebstofflager zwischen Kupfer oder anderen leitfähigen Metallen zu erstellen. Im Falle der Beol-Verarbeitung (bei c. 20 nm) wird Kupfer zuerst mit Tantal beschichtet, dann mit Tan unter Verwendung der physikalischen Dampfabscheidung (PVD); Dieses barrierebeschichtete Kupfer wird dann mit mehr Kupfer durch PVD beschichtet und mit elektrolytisch beschichtetem Kupfer infriert, bevor er mechanisch verarbeitet wird.
Es hat auch Anwendung in dünnen Filmwiderständen. Es hat den Vorteil gegenüber Nichrome-Widerständen, einen passivierenden Oxidfilm zu bilden, der gegen Feuchtigkeit resistent ist.
