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12033-62-4.
Bräunen
730700 cb.
99,5%
5 mm w. x 5 mm h. x 5 mm d. x
234-788-4.
Charakteristisch
Tantalnitrid (TaN) ist eine chemische Verbindung, ein Nitrid von Tantal. Es gibt mehrere Phasen von Verbindungen, stöchimetrisch von Ta2N bis Ta3N5einschließlich TaN.
Chemische Formel: TaN
Molmasse: 194,955 g / mol
Aussehen: schwarze Kristalle
Dichte: 14,3 g / cm3
Schmelzpunkt: 3.090 ° C (5.590 ° F; 3.360 K)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Kristallstruktur: Sechseckig, hP6
Anwendung
Es wird manchmal bei der Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet, um eine Diffusionsbarriere oder \"Klebeschichten\" zwischen Kupfer oder anderen leitenden Metallen zu erzeugen. Bei der BEOL-Verarbeitung (bei ca. 20 nm) wird Kupfer zuerst mit Tantal und dann mit TaN mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (PVD) beschichtet. Dieses barrierebeschichtete Kupfer wird dann durch PVD mit mehr Kupfer beschichtet und mit elektrolytisch beschichtetem Kupfer gefüllt, bevor es mechanisch verarbeitet wird.
Es findet auch Anwendung in Dünnschichtwiderständen. Es hat gegenüber Nichromwiderständen den Vorteil, einen passivierenden Oxidfilm zu bilden, der feuchtigkeitsbeständig ist.
Charakteristisch
Tantalnitrid (TaN) ist eine chemische Verbindung, ein Nitrid von Tantal. Es gibt mehrere Phasen von Verbindungen, stöchimetrisch von Ta2N bis Ta3N5einschließlich TaN.
Chemische Formel: TaN
Molmasse: 194,955 g / mol
Aussehen: schwarze Kristalle
Dichte: 14,3 g / cm3
Schmelzpunkt: 3.090 ° C (5.590 ° F; 3.360 K)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Kristallstruktur: Sechseckig, hP6
Anwendung
Es wird manchmal bei der Herstellung integrierter Schaltkreise verwendet, um eine Diffusionsbarriere oder \"Klebeschichten\" zwischen Kupfer oder anderen leitenden Metallen zu erzeugen. Bei der BEOL-Verarbeitung (bei ca. 20 nm) wird Kupfer zuerst mit Tantal und dann mit TaN mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (PVD) beschichtet. Dieses barrierebeschichtete Kupfer wird dann durch PVD mit mehr Kupfer beschichtet und mit elektrolytisch beschichtetem Kupfer gefüllt, bevor es mechanisch verarbeitet wird.
Es findet auch Anwendung in Dünnschichtwiderständen. Es hat gegenüber Nichromwiderständen den Vorteil, einen passivierenden Oxidfilm zu bilden, der feuchtigkeitsbeständig ist.
