Halbleiter der dritten Generation - Galliumnitrid

Galliumnitrid (GAN) ist eine Art Halbleitermaterial, das aus Stickstoff und Gallium besteht. Da seine Bandspaltbreite größer als 2,2V ist, ist es auch als Breitbandspalthalbleitermaterial bekannt und auch als Halbleitermaterial des dritten Generation in China bekannt.

Galliumnitridund andere Halbleitermaterialien

In der Abbildung oben sehen wir, dass Galliumnitrid dreimal größer ist als Silizium in Bandspaltbreite, 10-fach höher in der Durchbruchfeldfestigkeit, dreimal schneller in der gesättigten Elektronenmigration und zweimal höher in der Wärmeleitfähigkeit. Einige der Vorteile dieser Leistungsverbesserungen sind, dass Galliumnitrid eher für Hochleistungs-Hochfrequenz-Leistungsvorrichtungen als Silizium geeignet ist, während kleiner und mehr Kraft dicht ist.

Hervorragende Eigenschaften von Galliumnitrid

Dank des Galliumnitridmaterials selbst ist die hervorragende Leistung, die aus Galliumnitrid hergestellt wird, besser als herkömmliches Silizium / MOSFET und IGBT-Chipbereich ist gleichzeitig aufgrund der widerstandsfähigeren hohen Spannungs-, Hochstrom-, Gaj-Chip-Leistungsdichte ist größer, so dass die Leistungsdichte / Fläche als Silizium aufgrund der Verwendung von Galliumnitridchip, nachdem auch die Verwendung anderer Komponenten, Kondensatoren, die passiven Komponenten wie Induktoren und Spulen reduziert, viel weniger als das Scheme auf Siliziumbasis, das Reduziert das Volumen weiter. Daher ist der schnelle Ladekopf von Galliumnitrid, der diese Zeit gesehen hat, nicht nur klein in der Größe, sondern kann auch eine stärkere Leistungsleistung bereitstellen.

Was sind die anderen wichtigen Anwendungen von Galliumnitrid neben der schnellen Füllung?

Galliumnitridmaterialien, derzeit sind in dem fotoelektrischen Feld, einschließlich unserer nun gemeinsamen LED, sowie in Lidar- und VCSEL-Sensoren, drei wichtigere Richtungen. Im Kraftbereich werden alle Arten von elektronischen und elektrischen Geräten in einem schnellen Ladekopf, Frequenzumrichter, neuen Energiefahrzeugen, Unterhaltungselektronik und anderen elektronischen und elektrischen Umwandlungsszenarien verwendet. Radiofrequenzfeld, einschließlich 5g-Basisstation, Militärradar, Low-Orbit-Satelliten, Luft- und Raumfahrt und andere Felder.