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1303-00-0
GaAs
313300PD
99,99%
40~50μm
215-114-8
Klasse 6.1
UN1557
PG II
Charakteristisch
Galliumarsenid (GaAs) ist eine Verbindung der Elemente Gallium und Arsen.Es ist ein III-V-Halbleiter mit direkter Bandlücke mit einer Zinkblende-Kristallstruktur.
Chemische Formel: GaAs
Molmasse: 144,645 g/mol
Aussehen: Graue Kristalle
Geruch: Knoblauchähnlich, wenn angefeuchtet
Dichte: 5,3176 g/cm3
Schmelzpunkt: 1.238 °C (2.260 °F; 1.511 K)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Löslichkeit: löslich in HCl
unlöslich in Ethanol, Methanol, Aceton
Bandlücke: 1,441 eV (bei 300 K)
Elektronenmobilität: 9000 cm2/(V·s) (bei 300 K)
Magnetische Suszeptibilität (χ):-16,2×10-6 cgs
Wärmeleitfähigkeit: 0,56 W/(cm·K) (bei 300 K)
Brechungsindex (nD): 3,3
Kristallstruktur: Zinkblende
Anwendung
Halbleiter (Transistoren, Laser, Solarzellen)Galliumarsenid wird in Halbleiteranwendungen eingesetzt.Es wird auch bei der Herstellung von Geräten wie integrierten Mikrowellenfrequenz-Schaltungen, Gunn-Dioden, monolithischen integrierten Mikrowellen-Schaltungen, Infrarotlicht emittierenden Dioden, Laserdioden und optischen Fenstern verwendet.Darüber hinaus wird es für einkristalline Dünnschichtsolarzellen und Multi-Junction-Solarzellen verwendet.Außerdem wird es zur Detektion von Röntgenstrahlen verwendet.
Charakteristisch
Galliumarsenid (GaAs) ist eine Verbindung der Elemente Gallium und Arsen.Es ist ein III-V-Halbleiter mit direkter Bandlücke mit einer Zinkblende-Kristallstruktur.
Chemische Formel: GaAs
Molmasse: 144,645 g/mol
Aussehen: Graue Kristalle
Geruch: Knoblauchähnlich, wenn angefeuchtet
Dichte: 5,3176 g/cm3
Schmelzpunkt: 1.238 °C (2.260 °F; 1.511 K)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Löslichkeit: löslich in HCl
unlöslich in Ethanol, Methanol, Aceton
Bandlücke: 1,441 eV (bei 300 K)
Elektronenmobilität: 9000 cm2/(V·s) (bei 300 K)
Magnetische Suszeptibilität (χ):-16,2×10-6 cgs
Wärmeleitfähigkeit: 0,56 W/(cm·K) (bei 300 K)
Brechungsindex (nD): 3,3
Kristallstruktur: Zinkblende
Anwendung
Halbleiter (Transistoren, Laser, Solarzellen)Galliumarsenid wird in Halbleiteranwendungen eingesetzt.Es wird auch bei der Herstellung von Geräten wie integrierten Mikrowellenfrequenz-Schaltungen, Gunn-Dioden, monolithischen integrierten Mikrowellen-Schaltungen, Infrarotlicht emittierenden Dioden, Laserdioden und optischen Fenstern verwendet.Darüber hinaus wird es für einkristalline Dünnschichtsolarzellen und Multi-Junction-Solarzellen verwendet.Außerdem wird es zur Detektion von Röntgenstrahlen verwendet.
