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Galliumarsenid (GaAs)-Pulver

  • 1303-00-0

  • GaAs

  • 313300PD

  • 99,99%

  • 40~50μm

  • 215-114-8

  • Klasse 6.1

  • UN1557

  • PG II

Verfügbarkeitsstatus:

Charakteristisch

Galliumarsenid (GaAs) ist eine Verbindung der Elemente Gallium und Arsen.Es ist ein III-V-Halbleiter mit direkter Bandlücke mit einer Zinkblende-Kristallstruktur.


Chemische Formel: GaAs

Molmasse: 144,645 g/mol

Aussehen: Graue Kristalle

Geruch: Knoblauchähnlich, wenn angefeuchtet

Dichte: 5,3176 g/cm3

Schmelzpunkt: 1.238 °C (2.260 °F; 1.511 K)

Löslichkeit in Wasser: unlöslich

Löslichkeit: löslich in HCl

unlöslich in Ethanol, Methanol, Aceton

Bandlücke: 1,441 eV (bei 300 K)

Elektronenmobilität: 9000 cm2/(V·s) (bei 300 K)

Magnetische Suszeptibilität (χ):-16,2×10-6 cgs

Wärmeleitfähigkeit: 0,56 W/(cm·K) (bei 300 K)

Brechungsindex (nD): 3,3

Kristallstruktur: Zinkblende


Anwendung

Halbleiter (Transistoren, Laser, Solarzellen)Galliumarsenid wird in Halbleiteranwendungen eingesetzt.Es wird auch bei der Herstellung von Geräten wie integrierten Mikrowellenfrequenz-Schaltungen, Gunn-Dioden, monolithischen integrierten Mikrowellen-Schaltungen, Infrarotlicht emittierenden Dioden, Laserdioden und optischen Fenstern verwendet.Darüber hinaus wird es für einkristalline Dünnschichtsolarzellen und Multi-Junction-Solarzellen verwendet.Außerdem wird es zur Detektion von Röntgenstrahlen verwendet.

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