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PRODUKTDETAIL

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Anteil an:

Aluminiumarsenid (AlAs)-Pulver

  • 22831-42-1.

  • Ach

  • 133300pd.

  • 99,5%

  • - 20 mesh ca. - 200 mesh

  • 245-255-0.

  • UN1394.

Verfügbarkeitsstatus:

Charakteristisch


Aluminiumarsenid oder Aluminium-Arsenid (ALAS) ist ein Halbleitermaterial mit fast derselben Gitterkonstante als Galliumarsenid und Aluminiumgalliumarsenid und breiteres Bandlücke als Galliumarsenid. 


Chemische Formel: Alas

Molar Masse: 101,9031 g / mol

Aussehen: Orange Kristalle

Dichte: 3,72 g / cm3

Schmelzpunkt: 1.740 ° C (3,160 ° F; 2,010 k)

Löslichkeit in Wasser: reagiert

Löslichkeit: Reagiert in Ethanol

Band-Lücke: 2.12 eV (indirekt)

Elektronenmobilität: 200 cm2 / (v · s) (300 k)

Wärmeleitfähigkeit: 0,9 w / cm · k) (300 k)

Brechungsindex (ND): 3 (Infrarot)


Anwendung


Aluminium-Arsenid ist ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial und ist ein vorteilhaftes Material für die Herstellung von optoelektronischen Vorrichtungen, wie beispielsweise lichtemittierenden Dioden.


Aluminium-Arsenid kann mit bekannten Verfahren hergestellt werden, wie beispielsweise flüssige und Dampfphasen-Epitaxie-Techniken oder Schmelzwachstumstechniken. Aluminiumarsenid-Kristalle, die durch diese Verfahren hergestellt werden, sind jedoch im Allgemeinen instabil und erzeugt Arsine (Asche3) Wenn feuchte Luft ausgesetzt ist.


Aluminium-Arsenid kann mit bekannten Verfahren hergestellt werden, wie beispielsweise flüssige und Dampfphasen-Epitaxie-Techniken oder Schmelzwachstumstechniken. Aluminiumarsenid-Kristalle, die durch diese Verfahren hergestellt werden, sind jedoch im Allgemeinen instabil und erzeugt Arsine (Asche3) Wenn feuchte Luft ausgesetzt ist.


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