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Eine Liste dieser Anorganische Verbindung Chemikalien.-Artikel erleichtert Ihnen den schnellen Zugriff auf relevante Informationen. Wir haben folgende professionelle Anorganische Verbindung Chemikalien. vorbereitet, in der Hoffnung, Ihnen bei der Lösung Ihrer Fragen zu helfen und die Produktinformationen, die Ihnen wichtig sind, besser zu verstehen.
Zinksulfid ist eine anorganische Verbindung mit der chemischen Formel ZNS. Es ist die Hauptform von Zink in der Natur, und Zink existiert hauptsächlich in Form des mineralischen Sphalterits. weiterlesen »
Blei Tellurid ist eine Verbindung von Blei und Tellur (PBTE). Es kristallisiert in der NaCl-Kristallstruktur mit PB-Atomen, die die Kation besetzen und das anionische Gitter bildet. Es ist ein schmaler Spalthalbleiter mit einer Bandlücke von 0,32 eV. Es kommt natürlich als Mineral Altaite vor. weiterlesen »
Molybdändisulfid [Molybdän (IV) Sulfid, MOS2] ist eine anorganische Verbindung, die in der Natur in der Mineralmolybdänite besteht. Seine Kristalle haben eine hexagonale Schichtstruktur. weiterlesen »
Niob-Diselenid oder Niob (IV) Selenid ist ein geschichtetes Übergangsmetalldichalkogenid mit Formel NBSE2. Niob-Diselenid ist ein Schmiermittel und ein Supraleiter bei Temperaturen unter 7,2 k, das eine Ladungsdichtewelle (CDW) aufweist weiterlesen »
Cadmium Zink Tellurid, (CDZNTE) oder CZT, ist eine Verbindung von Cadmium, Zink und Tellur oder strenger, eine Legierung von Cadmium Tellurid und Zink Tellurid. Ein direkter Bandgap-Halbleiter. weiterlesen »
Antimon Telluride charakteristicantimony tellurid ist eine anorganische Verbindung mit der chemischen Formel SB2TE3. Wie in Bezug auf andere Pnictogen-Chalkogenid-Schichtmaterialien handelt es sich um einen grauen kristallinen Feststoff mit einer geschichteten Struktur. Schichten bestehen aus zwei Atomblättern von Antimon und drei Atomblättern weiterlesen »
Cadmium Tellurid (CDTE) ist eine stabile kristalline Verbindung, die aus Cadmium und Tellur gebildet ist. Es wird hauptsächlich als Halbleitermaterial in Cadmium Tellurid-Photovoltaik und einem optischen Infrarotfenster verwendet. weiterlesen »
GESBTE (Germanium-Antimon-Tellurium oder GST) ist ein Phasenänderungsmaterial aus der Gruppe der Chalkogenidgläsern, die in wiederbeschreibbaren optischen Discs und Phasenänderungsspeicheranwendungen verwendet werden. weiterlesen »
Der Wettbewerb der Autobatterieleistung schwankt mehrmals unter dem großen Stock der neuen Energie Finanz-Subventionspolitik. Erster ternäre Lithium-Batterien geklopft Lithium-Eisen-Phosphat-Batterien aus dem \ „Eisen Thron \“, und jetzt ist es an der Reihe von Lithium-Eisen-Phosphat-Batterien, ternärer Lithium-Batterien in dem Underdog. weiterlesen »
1. GalliumselenidanwendungGalliumselid (Gase) ist eine Gruppe XIII nach dem Übergang von Mono-Chalcogenid. Wie Übergangsmetall-Dichalkogenide (TMDCs) ist es ein geschichteter Halbleiter. In Galliumseleiden besteht jede einzelne Schicht aus kovalent gebundenen Stapeln mit Blechen von SE-Ionen auf der Oberseite weiterlesen »
Neues Material ohne Indiumoning der wichtigsten Anwendungen von Indiummetallas ist ein seltenes Metall, um Indiumzinnoxid zu synthetisieren. Die Verbindung ist bekannt für seine optisch transparenten und elektrisch leitfähigen Eigenschaften, was es zu einem Schlüsselbestandteil in Touchscreen-Materialien macht. Aber Indium ist knapp, e weiterlesen »
Wismut (III) Oxid ist eine wichtige Verbindung von Wismut, Wismutoxid hat zwei Arten von Kristallstruktur: Alpha-Typ und Betatyp. Im Vergleich zu Beta-Wismutoxid ist Alpha-Wismutoxid in hoher Temperatur stabiler und hat eine üblichere Verwendung von elektronischen Materialien, Thermistor, Glasfärbung, V weiterlesen »
Indium-Zinnoxid (ITO) wurde häufig als transparentes leitendes Material für verschiedene Anzeigevorrichtungen verwendet. Dieses Material hat einige Probleme, beispielsweise die Leitfähigkeit und die Flexibilität. Für die Verantwortlichkeit ist eine hohe Leitfähigkeit erforderlich, wenn die Plattengröße größer wird. Flexibilität ist erforderlich weiterlesen »
97% Al2O3 + 3% TiO2 Nano-Keramikschicht wurde durch Plasmaspritzen auf die Oberfläche der Az91D-Magnesiumlegierung gesprüht. Die keramische Partikelgröße betrug 150 nm und 120 nm, und die Beschichtungsdicke betrug 50 μm ~ 100 μm. Der thermische Effizienz ηQ betrug etwa 65%. Die Oberfläche der Probe wird vor dem Spray auf 100 ℃ vorgewärmt weiterlesen »
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