Was ist Gallium Arsenide?

Gallium Arsenide(GaAs) ist eine Verbindung, die aus den Elementen Gallium und Arsen gebaut ist. Es wird oft als III-V-Verbindung bezeichnet, da Gallium und Arsen in der III-Gruppe bzw. V-Gruppe des Periodensystems sind.

Die Verwendung von Gallium-Arsenid ist keine neue Technologie. Tatsächlich hat DARPA seit den 1970er Jahren in der Technologie finanziert. Während die Technologie auf Siliziumbasis \"Die Rückgratsubstanz der Mikroelektronikumdrehung war, arbeitet GAAS-Schaltung an den höheren Frequenzen und Signalverstärkungsbefugnissen, die eine von Palmengröße verbundene Mobiltelefone integriert haben. \"

Gallium Arsenide führte in den 1980er Jahren zur Miniaturisierung von GPS-Empfängern. Dies machte die lasergeführten, präzisen Munition, die in dieser Zeit in den USA Arsenals eintrat.

Vergleich von GaAs, Si, SIC und GaN-Bandgaps

Mit hoher Elektronenmobilität können Halbleitergeräte aus GaAs auf Frequenzen in den Hunderten von GHz fungieren.

Während nicht wirklich als ein \"breites Bandgap\" -Material angesehen wird, hat GAAS eine erheblich höhere BandgAP als Silizium. Dies macht dadurch kritisch, dass GaAs sehr widerstandsfähig gegen Strahlung und somit eine gute Wahl für Verteidigungs- und Luft- und Raumfahrtanwendungen. Ein anderer Verkaufsstelle ist, dass GaAs-Geräte weitaus widerstandsfähiger sind und weniger EMI abgeben.

GaAs verfügt über eine direkte Bandgasse im Gegensatz zum indirekten Bandgap von Silicon. Daher können GaAs ein Licht effektiver emittieren als diejenigen aus Silizium. Dies gibt GaAs einen klaren Vorteil gegenüber den von Silizium errichteten Vorteilen.

Ein großer Vorteil von Silizium ist, dass Silizium in der realen Massenherstellung in der realen Massenherstellung weit einfacher ist, mit dem Zusammenarbeit zu arbeiten. Silizium hat ein \"einheimisches Oxid, Siliziumdioxid (SiO 2). Dieser bereite Isolator ist ein unschätzbarer Vermögenswert bei der Herstellung von Siliziumgeräten. GaAs hat kein Analog

Ist Gallium Arsenide eine bessere Wahl als Silizium?

Wir haben einige Unglücklichkeiten und allgemeine Eigenschaften diskutiert, aber Designer müssen die besonderen Bedürfnisse bestimmter Konstruktionen sorgfältig analysieren und ihre materielle Wahl nicht auf der Grundlage von vorgefassten Vorstellungen treffen. Manchmal ist die Antwort nicht, was zunächst erwartet wurde.

In einem von der Theresa-Corrigan geschriebenen Artikel sind N-Kanal-CMOS-MOSFETs mit GaAs-Geräten, wenn sie als Breitband (900 MHz ein höherer) elektronischer Switches dienen.

Die Vorteile von Galliumarsenid

Niedrig auf Widerstand

Niedrige von der Kapazität

Hohe Linearität bei hohen Frequenzen

Die Vorteile von CMOS

Verlust von 3DB oder weniger bei 4 GHz

Energieeffizient

Keine Anforderung für DC-Blockierkondensatoren

Hohe Isolierung zwischen den Häfen