Siliziumkarbid (SIC): Halbleitermaterial des dritten Generation

Halbleitermaterialien Nach jahrzehntelanger Entwicklung war die erste Generation von Siliziumhalbleitermaterial in der Nähe des perfekten Kristalls, die Siliziummaterialforschung ist ebenfalls sehr gründlich. Basierend auf Siliziumgeräten auf dem Entwurf und der Entwicklung wurde viele Generationen der Struktur- und Prozessoptimierung und der Erneuerung durchgesetzt, deren Grenze des Siliziummaterials allmählich nahe an der Grenze des Siliziummaterials liegt, basierend auf dem Potenzial, um die Leistung von Siliziumgeräten immer geringer zu werden Galliumnitrid,SiliziumkarbidAls Vertreter der dritten Generation des Halbleiters hat eine hervorragende physikalische Eigenschaften von Materialien, um die Leistung der Leistungselektronikvorrichtung weiter zu verbessern, sorgt für einen größeren Raum.

Was ist Siliciumcarbid?

SiC ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C) besteht. Seine Bindungskraft ist sehr stark, in thermischen, chemischen, mechanischen Aspekten sind sehr stabil. SiC existiert eine Vielzahl von Polytypen (polykristallin), ihre physikalischen Eigenschaften sind unterschiedlich. 4H-SiC eignet sich am besten für Leistungskomponenten.

Was ist der Einsatz von Siliciumcarbid?

Die durch SIC dargestellte Halbleiterleistung der dritten Generation von SIC sind eine der schnellsten Entwicklungsleistungshalbleitervorrichtungen im Bereich der Leistungselektronik. Siliziumkarbid, als ein typischer Vertreter der dritten Generation von Halbleitermaterialien, ist auch eine der reifen Kristallproduktionstechnologie und der Geräteherstellungsniveau sowie die am häufigsten verwendeten Breitbandspalthalbleitermaterialien, die ein globales Material, ein Gerät ausgebildet sind und Anwendungsbranchekette. Es ist ein ideales Halbleitermaterial für Hochtemperatur-, Hochfrequenz-, Strahlungsbeständigkeit und hohe Leistungsanwendungen. Siliziumkarbid-Leistungsgeräte können den Energieverbrauch elektronischer Geräte erheblich reduzieren, sodass auch Siliziumkarbidvorrichtungen als \"grüne Energieinrichtungen\" bezeichnet werden, um die \"neue Energietrehung\" zu treiben.

1. Halbleiterbeleuchtungsfeld

Unter Verwendung des Siliziumkarbids, wenn das Substrat während der höheren Helligkeit, niedrigerer Energieverbrauch, längere Lebensdauer, kleinerer Geräte-Chipbereich, einen sehr großen Vorteil in der Hochleistungs-LED.

2. Alle Arten von Motorsystemen

Im Bereich der 5-kV-Hochspannungsanwendung werden Halbleiter-Siliziumkarbid-Leistungsvorrichtung auf dem Schaltverlust und der Stoßspannung angelegt, kann den Schaltverlust reduzieren, 92% des größten Halbleitersiliciumkarbids die offensichtlichen Auswirkungen der Reduzierung von Stromverbrauchsgeräten, dem Heizwert Von der Ausrüstung ist stark reduziert, lässt die Gerätekühleinheiten weiter vereinfachen, das Miniaturisierungsvolumen des Geräts, der den Verbrauch von Metallmaterialien für die Wärmeableitung erheblich verringert.

3. Neue Energiefahrzeuge und unterbrechungsfreie Stromversorgung und andere Leistungselektronik

Die neue Energiefahrzeugindustrie erfordert, dass das Halbleiter-Leistungsmodul des Wechselrichters (dh der Motorbetrieb) weitaus mehr Zuverlässigkeit als der gewöhnliche Industrial-Wechselrichter aufweist, wenn Sie sich mit hohem Intensitätsstrom befassen; Im Hochstrom-Leistungsmodul, dem Halbleiter-Siliziumkarbid-Modul mit besserer Wärmeableitung, hoher Wirkungsgrad, hoher Geschwindigkeit, hoher Temperaturbeständigkeit und hoher Zuverlässigkeit erfüllt die Anforderungen neuer Energiefahrzeuge vollständig.

Die Miniaturisierung des Halbleiter-Siliziumkarbid-Power-Moduls kann den Leistungsverlust neuer Energiefahrzeuge erheblich reduzieren, so dass er noch in der Regel bei 200 ℃ arbeiten kann. Leichter, kleinere Geräte wiegen weniger, wodurch der Energieverbrauch vom eigenen Gewicht des Fahrzeugs verringert wird.

Neben einer wichtigen Rolle bei der Energieeinsparung neuer Energiefahrzeuge haben Halbleiter-Siliziumkarbid-Materialien eine hervorragende Rolle bei Energieeinsparungs- und Umweltschutz in Leistungselektronikfeldern wie Hochgeschwindigkeitsschiene, Solarphotovoltaik, Windkraft, Kraftübertragung gespielt , Ups usw.

4. Machen Sie Elektronik kleiner

Reduzieren Sie die Größe eines Laptopadapters um 80% und schrumpfen Sie eine Unterstation an die Größe eines Koffers. Dies ist auch ein aufregender Aspekt von Siliziumkarbid-Halbleitern.

Mit Chinas Aufmerksamkeit auf die dritte Generation von Halbleitermaterialien hat sich Halbleitermaterialmarktmarkt in China in den letzten Jahren rasch entwickelt. Unter ihnen ist Siliziumkarbid das Hauptmaterial des Anliegens. Industrieprobleme müssen jedoch immer noch gelöst werden, wie China-Material-Fertigungsprozesse und -qualität, die die Welt der Welt nicht erreicht hat, die Materialherstellungsgeräte stärken sich stark auf Importe, die Siliciumcarbid-Geräte-Industriekette hat sich noch nicht gebildet usw. Diese Probleme müssen noch nicht gegründet werden allmählich gelöst werden, so dass inländische Halbleitermaterialien in der Vorderfront der Welt stehen.