Charakteristisch

Hafnium (IV) Oxid ist die anorganische Verbindung mit der Formel HFO₂. Dieser farblose Feststoff ist auch als Hafnia bekannt, dieser farblose Feststoffe ist eine der häufigsten und stabilen Verbindungen von Hafnium. Es ist ein elektrischer Isolator mit einer Bandlücke von 5,3 ~ 5,7 eV. Hafniumdioxid ist ein Zwischenprodukt in einigen Prozessen, die Hafnium-Metall ergeben.

Chemische Formel: HFO₂

Molar Masse: 210,49 g / mol

Aussehen: Off-White-Pulver

Dichte: 9,68 g / cm³, solide

Schmelzpunkt: 2,758 ° C (4,996 ° F; 3,031 k)

Siedepunkt: 5,400 ° C (9.750 ° F; 5,670 k)

Löslichkeit in Wasser: unlöslich

Magnetische Anfälligkeit (χ): - 23.0 · 10^-6.cm³/ mol

Anwendung

Hafnia wird in optischen Beschichtungen und als hoch-κ-Dielektrikum in DRAM-Kondensatoren und in fortschrittlichen Metalloxid-Halbleitervorrichtungen verwendet.

In den letzten Jahren zieht Hafniumoxid (sowie dotierter und sauerstoffmangelhafter Hafniumoxid) zusätzliche Zinsen als möglicher Kandidat für Widerstandsschaltspeicher und cmos-kompatible ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FEFET-Speicher) und Speicherchips an.

Aufgrund des sehr hohen Schmelzpunkts wird Hafnia auch als feuerfeste Material in der Isolierung solcher Geräte als Thermoelemente verwendet, wo er bei Temperaturen bis 2500 ° C arbeiten kann.

Zur Verwendung in der passiven Kühlung von Gebäuden wurden mehrschichtige Filme von Hafniumdioxid, Kieselsäure und anderen Materialien entwickelt. Die Filme reflektieren das Sonnenlicht und strahlen Wärme bei Wellenlängen aus, die durch die Atmosphäre der Erde passieren, und können Temperaturen mehrerer Grad kühler aufweisen als umgebende Materialien unter den gleichen Bedingungen.

HFO2_MSDS.PDF.