Galliumnitrid (Gan) -Powder

Produktbeschreibung

Charakteristisch


Galliumnitrid (GAN) ist ein binärer III / V-Direktbandgap-Halbleiter, der seit den 1990er Jahren in Leuchtdioden in Leuchtdioden verwendet wird. Die Verbindung ist ein sehr hartes Material, das eine Wurtzitkristallstruktur aufweist. Seine breite Bandlücke von 3,4 EV bietet es spezielle [Klarstellung erforderlich] Eigenschaften für Anwendungen in Optoelektronik, [8] [9] Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.


Chemische Formel: Gan

Molar Masse: 83,730 g / mol

Aussehen: Gelbes Pulver

Dichte: 6,1 g / cm3

Schmelzpunkt:> 1600 ° C

Löslichkeit in Wasser: unlöslich

Bandlücke: 3.4 eV (300 k, direkt)

Elektronenmobilität: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)

Wärmeleitfähigkeit: 1,3 w / cm · k) (300 k)

Brechungsindex (ND): 2.429

Kristallstruktur: Wurtzite



Anwendung


Seine Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung ist niedrig (wie andere Gruppe III-Nitride), wodurch es ein geeignetes Material für Solarzellenarrays für Satelliten macht. Militär- und Raumanwendungen könnten auch profitieren, da Geräte die Stabilität in Strahlungsumgebungen gezeigt haben.


Da Gan-Transistoren bei viel höheren Temperaturen arbeiten können und mit viel höheren Spannungen arbeiten als Gallium-Arsenid-Transistoren (GAAS) (GAAS) (GAAS) -Transistoren, machen sie ideale Leistungsverstärker bei Mikrowellenfrequenzen. Darüber hinaus bietet GAN vielversprechende Merkmale für THz-Geräte.



Dutzend

Kobaltnitrid (CoN)-Pulver

Kupfernitrid (CU3N) -Powder

Mangannitrid (Mn4N)-Pulver

Tantalnitrid (Tan) -Powder

Magnesiumnitrid (MG3N2) -Powder

TANTALUM NITRID (TAN) -SPUTTERING Ziel