Was ist eine chemische Dampfabscheidung (CVD)?

Was sind die wichtigsten Vorteile und Nachteile von CVD?

CVDVerwendet ein oder mehrere Gase, um chemisch auf einem erhitzten festen Substrat zu reagieren und mit einem festen Film zu beschichten.

Vorteile:

1. Vakuumgradanforderungen sind nicht hoch, sogar kein Vakuum, wie beispielsweise heiße Sprühbeschichtung;

2. Schnelle Abscheidungsrate, atmosphärische CVD kann 1 μm / min erreichen;

3. Verglichen mit PVD. Chemische Zusammensetzung oder Legierungsbeschichtung ist einfacher zu erreichen;

Die Zusammensetzung der Beschichtung ist diversifiziert, wie Metall-, Nichtmetall-, Halbleiter-, photoelektrische Materialien, Diamantfilm;

5. kann sich in der komplexen Form der Substratbeschichtung auch in poröse Keramik befinden;

6. Dicke Gleichmäßigkeit ist gut, Niederspannungs-CVD kann gleichzeitig dutzende Chips gleichzeitig plattieren.

Nachteile:

1. Thermodynamik und chemische Reaktionsmechanismen werden nicht leicht verstanden oder schlecht verstanden;

2. Muss bei hoher Temperatur durchgeführt werden, ein Teil des Substrats kann nicht standhalten, und selbst den Beschichtungsgenaugen;

3. Das Reaktionsgas kann ätzend, giftig oder explosiv sein, seien Sie also vorsichtig, wenn Sie es handhaben;

4. Die Reaktionsprodukte können auf der Beschichtung bleiben und Verunreinigungen werden;

5. Die Abschirmung des Substrats ist schwierig.