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13464-82-9.
In2 (SO4) 3
49160800PD.
99,99% -99,999%
- 100 mesh-325mesh
236-689-1.
Charakteristisch
Indium (III) Sulfat (in2(SO4)3) ist ein Sulfatsalz des Metalliniums. Als festes Indiumsulfat kann shydrhous sein oder die Form eines Pentahydrats mit fünf Wassermolekülen [9] oder einem Nonahydrat mit neun Wassermolekülen annehmen.
Chemische Formel: In2(SO4)3
Molekulargewicht: 517,81 g / mol
Aussehen: weiß-grau geruchloses Pulver, hygroskopisch, monokliner Kristalle
Dichte: 3,44 g / cm3, fest
Schmelzpunkt: zersetzt sich bei 600 ° C
Löslichkeit in Wasser: löslich ist, (539,2 g / l bei 20 ° C)
Kristallstruktur: monoklin
Anwendung
Indiumsulfat ist eine kommerziell erhältliche Chemikalie. Es kann zu galvanisieren Indiummetall verwendet werden, als Härtungsmittel in Goldgalvanisierung oder andere Indium enthaltende Substanzen Elenid wie Kupfer-Indium-vorzubereiten. Es wurde als Gesundheitsergänzungsmittel verkauft, obwohl es keine Hinweise für einen Nutzen für den Menschen ist, und es ist giftig.
Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächenbarriere-Germanium-Transistor, der durch Philco entwickelt 1953 und fähig, auf 60 MHz. Diese wurde durch Vertiefungen Ätzen in eine N-Typ-Germanium-Basis von beiden Seiten mit Strahlen aus Indiumsulfat, bis es ein paar Zehntausendstel eines Zoll dick war. Indium elektroplattierte in die Vertiefungen der Kollektor und Emitter gebildet.
Charakteristisch
Indium (III) Sulfat (in2(SO4)3) ist ein Sulfatsalz des Metalliniums. Als festes Indiumsulfat kann shydrhous sein oder die Form eines Pentahydrats mit fünf Wassermolekülen [9] oder einem Nonahydrat mit neun Wassermolekülen annehmen.
Chemische Formel: In2(SO4)3
Molekulargewicht: 517,81 g / mol
Aussehen: weiß-grau geruchloses Pulver, hygroskopisch, monokliner Kristalle
Dichte: 3,44 g / cm3, fest
Schmelzpunkt: zersetzt sich bei 600 ° C
Löslichkeit in Wasser: löslich ist, (539,2 g / l bei 20 ° C)
Kristallstruktur: monoklin
Anwendung
Indiumsulfat ist eine kommerziell erhältliche Chemikalie. Es kann zu galvanisieren Indiummetall verwendet werden, als Härtungsmittel in Goldgalvanisierung oder andere Indium enthaltende Substanzen Elenid wie Kupfer-Indium-vorzubereiten. Es wurde als Gesundheitsergänzungsmittel verkauft, obwohl es keine Hinweise für einen Nutzen für den Menschen ist, und es ist giftig.
Der erste Hochfrequenztransistor war der Oberflächenbarriere-Germanium-Transistor, der durch Philco entwickelt 1953 und fähig, auf 60 MHz. Diese wurde durch Vertiefungen Ätzen in eine N-Typ-Germanium-Basis von beiden Seiten mit Strahlen aus Indiumsulfat, bis es ein paar Zehntausendstel eines Zoll dick war. Indium elektroplattierte in die Vertiefungen der Kollektor und Emitter gebildet.
