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1303-11-3
In Aas
493300wf.
<100>
4 '' / 6 ''
215-115-3.
Klasse 6.1.
UN1557.
PG III.
Charakteristisch
Indium Arsenid, Inas oder Indium Monoarsenid, ist ein Halbleiter, der aus Indium und Arsen besteht. Es hat das Erscheinungsbild von grauen kubischen Kristallen mit einem Schmelzpunkt von 942 ° C.
Chemische Formel: Inas
Molar Masse: 189,740 g / mol
Dichte: 5,67 g / cm3
Schmelzpunkt: 942 ° C (1,728 ° F; 1,215 k)
Bandlücke: 0,354 eV (300 k)
Elektronenmobilität: 40000 cm2 / (v * s)
Wärmeleitfähigkeit: 0,27 W / (cm * k) (300 k)
Brechungsindex (ND): 3.51
Kristallstruktur: Zink-Blende
Anwendung
Indium Arsenid wird für den Bau von Infrarot-Detektoren für den Wellenlängenbereich von 1 bis 3,8 μm verwendet. Die Detektoren sind üblicherweise Photovoltaik-Fotodioden. Kryogen abgekühlte Detektoren haben niedrigere Geräusche, aber in Aas-Detektoren können auch in höheren Stromanwendungen bei Raumtemperatur verwendet werden. Indium Arsenide wird auch zur Herstellung von Diodenlasern verwendet.
Charakteristisch
Indium Arsenid, Inas oder Indium Monoarsenid, ist ein Halbleiter, der aus Indium und Arsen besteht. Es hat das Erscheinungsbild von grauen kubischen Kristallen mit einem Schmelzpunkt von 942 ° C.
Chemische Formel: Inas
Molar Masse: 189,740 g / mol
Dichte: 5,67 g / cm3
Schmelzpunkt: 942 ° C (1,728 ° F; 1,215 k)
Bandlücke: 0,354 eV (300 k)
Elektronenmobilität: 40000 cm2 / (v * s)
Wärmeleitfähigkeit: 0,27 W / (cm * k) (300 k)
Brechungsindex (ND): 3.51
Kristallstruktur: Zink-Blende
Anwendung
Indium Arsenid wird für den Bau von Infrarot-Detektoren für den Wellenlängenbereich von 1 bis 3,8 μm verwendet. Die Detektoren sind üblicherweise Photovoltaik-Fotodioden. Kryogen abgekühlte Detektoren haben niedrigere Geräusche, aber in Aas-Detektoren können auch in höheren Stromanwendungen bei Raumtemperatur verwendet werden. Indium Arsenide wird auch zur Herstellung von Diodenlasern verwendet.
