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409-21-2.
Sic
140601pl.
99,99%
0,5-1 mm
206-991-8.
Siliziumkarbid (SIC), auch bekannt als Carborundum / Kɑːrbərʌndəm /, ist ein Halbleiter, der Silizium und Kohlenstoff enthält. Es tritt in der Natur als extrem seltenes Mineral-Moissanit auf.
Chemische Formel: SiC
Mol-Masse: 40.096 g · Mol-1.
Aussehen: Gelb bis grün zu bläulich-schwarz, irisierende Kristalle
Dichte: 3,16 g · cm-3. (verhexen.)
Schmelzpunkt: 2,830 ° C (5,130 ° F; 3,100 k)
Anwendung
Seit 1893 wurde synthetisches SIC-Pulver zur Verwendung als Schleifmittel hergestellt. Körner aus Siliziumkarbid können durch Sintern zusammengebunden werden, um sehr harte Keramiken zu bilden, die in Anwendungen häufig verwendet werden, die hohe Ausdauer, wie Autokräsen, Autokupplungen und Keramikplatten in den kugelsicheren Westen erfordern. Elektronische Anwendungen von Siliziumkarbid wie lichtemittierenden Dioden (LEDs) und Detektoren in frühen Radios wurden zuerst um 1907 demonstriert. SiC wird in Halbleiterelektronikvorrichtungen verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohen Spannungen oder beides arbeiten. Große Einkristalle von Siliciumcarbid können durch das Lely-Verfahren angebaut werden, und sie können in als synthetische Moissanit bekannte Edelsteine geschnitten werden.
Siliziumkarbid (SIC), auch bekannt als Carborundum / Kɑːrbərʌndəm /, ist ein Halbleiter, der Silizium und Kohlenstoff enthält. Es tritt in der Natur als extrem seltenes Mineral-Moissanit auf.
Chemische Formel: SiC
Mol-Masse: 40.096 g · Mol-1.
Aussehen: Gelb bis grün zu bläulich-schwarz, irisierende Kristalle
Dichte: 3,16 g · cm-3. (verhexen.)
Schmelzpunkt: 2,830 ° C (5,130 ° F; 3,100 k)
Anwendung
Seit 1893 wurde synthetisches SIC-Pulver zur Verwendung als Schleifmittel hergestellt. Körner aus Siliziumkarbid können durch Sintern zusammengebunden werden, um sehr harte Keramiken zu bilden, die in Anwendungen häufig verwendet werden, die hohe Ausdauer, wie Autokräsen, Autokupplungen und Keramikplatten in den kugelsicheren Westen erfordern. Elektronische Anwendungen von Siliziumkarbid wie lichtemittierenden Dioden (LEDs) und Detektoren in frühen Radios wurden zuerst um 1907 demonstriert. SiC wird in Halbleiterelektronikvorrichtungen verwendet, die bei hohen Temperaturen oder hohen Spannungen oder beides arbeiten. Große Einkristalle von Siliciumcarbid können durch das Lely-Verfahren angebaut werden, und sie können in als synthetische Moissanit bekannte Edelsteine geschnitten werden.
