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12063-98-8
Lücke
311500ST
99,999 %
2 Zoll Durchmesser x 0,25 Zoll d.
235-057-2
Charakteristisch
Galliumphosphid (GaP), ein Phosphid des Galliums, ist ein Verbindungshalbleitermaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2,24 eV bei Raumtemperatur.Unreines polykristallines Material hat das Aussehen von blass orangefarbenen oder gräulichen Stücken.Undotierte Einkristalle sind orange, stark dotierte Wafer erscheinen jedoch aufgrund der Absorption freier Träger dunkler.Es ist geruchlos und wasserunlöslich.
Chemische Formel: GaP
Molmasse: 100,697 g/mol
Aussehen: hellorangefarbener Feststoff
Geruch: geruchlos
Dichte: 4,138 g/cm3
Schmelzpunkt: 1.457 ° C (2.655 ° F; 1.730 K)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Bandlücke: 2,24 eV (indirekt, 300 K)
Elektronenmobilität: 300 cm2/(V·s) (300 K)
Magnetische Suszeptibilität (χ): -13,8 × 10-6cgs
Wärmeleitfähigkeit: 0,752 W/(cm·K) (300 K)
Brechungsindex (nD): 2,964 (10 µm), 3,209 (775 nm), 3,590 (500 nm), 5,05 (354 nm)
Kristallstruktur: Zinkblende
Anwendung
Schwefel oder Tellur werden als Dotierstoffe verwendet, um Halbleiter vom n-Typ herzustellen.Zink wird als Dotierungsmittel für den Halbleiter vom p-Typ verwendet.
Charakteristisch
Galliumphosphid (GaP), ein Phosphid des Galliums, ist ein Verbindungshalbleitermaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2,24 eV bei Raumtemperatur.Unreines polykristallines Material hat das Aussehen von blass orangefarbenen oder gräulichen Stücken.Undotierte Einkristalle sind orange, stark dotierte Wafer erscheinen jedoch aufgrund der Absorption freier Träger dunkler.Es ist geruchlos und wasserunlöslich.
Chemische Formel: GaP
Molmasse: 100,697 g/mol
Aussehen: hellorangefarbener Feststoff
Geruch: geruchlos
Dichte: 4,138 g/cm3
Schmelzpunkt: 1.457 ° C (2.655 ° F; 1.730 K)
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Bandlücke: 2,24 eV (indirekt, 300 K)
Elektronenmobilität: 300 cm2/(V·s) (300 K)
Magnetische Suszeptibilität (χ): -13,8 × 10-6cgs
Wärmeleitfähigkeit: 0,752 W/(cm·K) (300 K)
Brechungsindex (nD): 2,964 (10 µm), 3,209 (775 nm), 3,590 (500 nm), 5,05 (354 nm)
Kristallstruktur: Zinkblende
Anwendung
Schwefel oder Tellur werden als Dotierstoffe verwendet, um Halbleiter vom n-Typ herzustellen.Zink wird als Dotierungsmittel für den Halbleiter vom p-Typ verwendet.
