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Charakteristisch
Galliumnitrid (GAN) ist ein binärer III / V-Direktbandgap-Halbleiter, der seit den 1990er Jahren in Leuchtdioden in Leuchtdioden verwendet wird. Die Verbindung ist ein sehr hartes Material, das eine Wurtzitkristallstruktur aufweist. Seine breite Bandlücke von 3,4 EV bietet es spezielle [Klarstellung erforderlich] Eigenschaften für Anwendungen in Optoelektronik, [8] [9] Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.
Chemische Formel: Gan
Molar Masse: 83,730 g / mol
Aussehen: Gelbes Pulver
Dichte: 6,1 g / cm3
Schmelzpunkt:> 1600 ° C
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Bandlücke: 3.4 eV (300 k, direkt)
Elektronenmobilität: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)
Wärmeleitfähigkeit: 1,3 W / (cm · K) (300 K)
Brechungsindex (ND): 2.429
Kristallstruktur: Wurtzite
Anwendung
Seine Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung ist niedrig (wie andere Gruppe III-Nitride), wodurch es ein geeignetes Material für Solarzellenarrays für Satelliten macht. Militär- und Raumanwendungen könnten auch profitieren, da Geräte die Stabilität in Strahlungsumgebungen gezeigt haben.
Da GaN-Transistoren bei viel höheren Temperaturen und arbeiten bei wesentlich höheren Spannungen als Galliumarsenid (GaAs) Transistoren betrieben werden können, stellen sie ideale Leistungsverstärker bei Mikrowellenfrequenzen. Darüber hinaus bietet GAN vielversprechende Merkmale für THz-Geräte.
Charakteristisch
Galliumnitrid (GAN) ist ein binärer III / V-Direktbandgap-Halbleiter, der seit den 1990er Jahren in Leuchtdioden in Leuchtdioden verwendet wird. Die Verbindung ist ein sehr hartes Material, das eine Wurtzitkristallstruktur aufweist. Seine breite Bandlücke von 3,4 EV bietet es spezielle [Klarstellung erforderlich] Eigenschaften für Anwendungen in Optoelektronik, [8] [9] Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.
Chemische Formel: Gan
Molar Masse: 83,730 g / mol
Aussehen: Gelbes Pulver
Dichte: 6,1 g / cm3
Schmelzpunkt:> 1600 ° C
Löslichkeit in Wasser: unlöslich
Bandlücke: 3.4 eV (300 k, direkt)
Elektronenmobilität: 1500 cm2/ (V · s) (300 k)
Wärmeleitfähigkeit: 1,3 W / (cm · K) (300 K)
Brechungsindex (ND): 2.429
Kristallstruktur: Wurtzite
Anwendung
Seine Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung ist niedrig (wie andere Gruppe III-Nitride), wodurch es ein geeignetes Material für Solarzellenarrays für Satelliten macht. Militär- und Raumanwendungen könnten auch profitieren, da Geräte die Stabilität in Strahlungsumgebungen gezeigt haben.
Da GaN-Transistoren bei viel höheren Temperaturen und arbeiten bei wesentlich höheren Spannungen als Galliumarsenid (GaAs) Transistoren betrieben werden können, stellen sie ideale Leistungsverstärker bei Mikrowellenfrequenzen. Darüber hinaus bietet GAN vielversprechende Merkmale für THz-Geräte.
