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24304-00-5.
Aln
130701pd.
99-99.9%
2000MESH-5000MESH.
246-140-8.
Klasse 4.1.
UN3178.
Charakteristisch
Aluminiumnitrid (ALN) ist ein festes Aluminiumnitrid. Es hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit von bis zu 285 W / (m · k) und ist ein elektrischer Isolator. Seine Wurtzitphase (W-AlN) hat eine Bandlücke von ~ 6 eV bei Raumtemperatur und hat eine potentielle Anwendung in der Optoelektronik, die bei tiefen ultravioletten Frequenzen tätig ist.
Chemische Formel: Aln
Mol-Masse: 40.989 g / mol
Aussehen: weiß bis hellgelbem Feststoff
Dichte: 3,255 g / cm3
Schmelzpunkt: 2.500 ° C (4,530 ° F; 2.770 k)
Löslichkeit in Wasser: Hydrolyses (Pulver), unlöslich (monokristallin)
Löslichkeit unlöslich, Thema Hydrolyse in Wasserlösungen von Basen und Säuren
Band-Lücke: 6.015 eV
Elektronenmobilität: ~ 300 cm2/ (V · s)
Wärmeleitfähigkeit: 285 W / (m · k)
Brechungsindex (ND): 2.1-2.2 (Kristalle) 1.8-1.9 (amorph)
Kristallstruktur: Wurtzite
Anwendung
Epitaktisch gewachsenes dünnfilmkristallines Aluminiumnitrid wird für akustische Oberflächenwellensensoren (Sägen) verwendet, die auf Siliziumwafern aufgrund von piezoelektrischen Eigenschaften von ALN abgeschieden werden. Eine Anwendung ist ein HF-Filter, der häufig in Mobiltelefonen verwendet wird, was als dünner Film-Bulk-Akustikresonator (FBAR) bezeichnet wird. Dies ist ein MEMS-Gerät, das Aluminiumnitrid verwendet, das zwischen zwei Metallschichten angeordnet ist.
ALN wird auch verwendet, um piezoelektrische mikromachbare Ultraschallwandler aufzubauen, die Ultraschall emittieren und aufnehmen, was für In-Air-Erhebung über Entfernungen von bis zu einem Meter verwendet werden kann.
Es stehen Metallisierungsmethoden zur Verfügung, um Aln in Elektronikanwendungen zu verwenden, ähnlich wie Aluminiumoxid und Berylliumoxid. Aln Nanoröhren als anorganische quasi-eindimensionale Nanoröhren, die isoelektronisch mit Kohlenstoffnanoröhren sind, wurden als chemische Sensoren für giftige Gase vorgeschlagen.
Gegenwärtig erforscht es viel Erforschung von lichtemittierenden Dioden, um in dem Ultraviolett mit Galliumnitridbasis-Halbleitern zu arbeiten, und unter Verwendung des Aluminiumgalliumnitrids mit Legierung Aluminium, Wellenlängen, wie etwa 250 nm erreicht wurden. Im Jahr 2006 wurde eine ineffiziente ALN-LED-Emission bei 210 nm berichtet.
Charakteristisch
Aluminiumnitrid (ALN) ist ein festes Aluminiumnitrid. Es hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit von bis zu 285 W / (m · k) und ist ein elektrischer Isolator. Seine Wurtzitphase (W-AlN) hat eine Bandlücke von ~ 6 eV bei Raumtemperatur und hat eine potentielle Anwendung in der Optoelektronik, die bei tiefen ultravioletten Frequenzen tätig ist.
Chemische Formel: Aln
Mol-Masse: 40.989 g / mol
Aussehen: weiß bis hellgelbem Feststoff
Dichte: 3,255 g / cm3
Schmelzpunkt: 2.500 ° C (4,530 ° F; 2.770 k)
Löslichkeit in Wasser: Hydrolyses (Pulver), unlöslich (monokristallin)
Löslichkeit unlöslich, Thema Hydrolyse in Wasserlösungen von Basen und Säuren
Band-Lücke: 6.015 eV
Elektronenmobilität: ~ 300 cm2/ (V · s)
Wärmeleitfähigkeit: 285 W / (m · k)
Brechungsindex (ND): 2.1-2.2 (Kristalle) 1.8-1.9 (amorph)
Kristallstruktur: Wurtzite
Anwendung
Epitaktisch gewachsenes dünnfilmkristallines Aluminiumnitrid wird für akustische Oberflächenwellensensoren (Sägen) verwendet, die auf Siliziumwafern aufgrund von piezoelektrischen Eigenschaften von ALN abgeschieden werden. Eine Anwendung ist ein HF-Filter, der häufig in Mobiltelefonen verwendet wird, was als dünner Film-Bulk-Akustikresonator (FBAR) bezeichnet wird. Dies ist ein MEMS-Gerät, das Aluminiumnitrid verwendet, das zwischen zwei Metallschichten angeordnet ist.
ALN wird auch verwendet, um piezoelektrische mikromachbare Ultraschallwandler aufzubauen, die Ultraschall emittieren und aufnehmen, was für In-Air-Erhebung über Entfernungen von bis zu einem Meter verwendet werden kann.
Es stehen Metallisierungsmethoden zur Verfügung, um Aln in Elektronikanwendungen zu verwenden, ähnlich wie Aluminiumoxid und Berylliumoxid. Aln Nanoröhren als anorganische quasi-eindimensionale Nanoröhren, die isoelektronisch mit Kohlenstoffnanoröhren sind, wurden als chemische Sensoren für giftige Gase vorgeschlagen.
Gegenwärtig erforscht es viel Erforschung von lichtemittierenden Dioden, um in dem Ultraviolett mit Galliumnitridbasis-Halbleitern zu arbeiten, und unter Verwendung des Aluminiumgalliumnitrids mit Legierung Aluminium, Wellenlängen, wie etwa 250 nm erreicht wurden. Im Jahr 2006 wurde eine ineffiziente ALN-LED-Emission bei 210 nm berichtet.
