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24304-00-5.
Aln
130702pd.
99,99% -99,999%
200mesh-8000mesh.
246-140-8.
Klasse 4.1.
UN3178.
Charakteristisch
Aluminiumnitrid (ALN) ist ein festes Aluminiumnitrid. Es hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit von bis zu 285 W / (m · k) und ist ein elektrischer Isolator. Seine Wurtzitphase (W-AlN) hat eine Bandlücke von ~ 6 eV bei Raumtemperatur und hat eine potentielle Anwendung in der Optoelektronik, die bei tiefen ultravioletten Frequenzen tätig ist.
Chemische Formel: Aln
Mol-Masse: 40.989 g / mol
Aussehen: weiß bis hellgelbem Feststoff
Dichte: 3,255 g / cm3
Schmelzpunkt: 2.500 ° C (4,530 ° F; 2.770 k)
Löslichkeit in Wasser: Hydrolyses (Pulver), unlöslich (monokristallin)
Unlöslich, unterliegt die Hydrolyse in Wasser-Lösungen von Basen und Säuren
Bandabstand: 6,015 eV
Elektronenmobilität: ~ 300 cm2/ (V · s)
Wärmeleitfähigkeit: 285 W / (m · K)
Brechungsindex (nD): 2,1-2,2 (Kristalle) 1,8-1,9 (amorph)
Kristallstruktur: Wurtzit
Anwendung
Epitaktisch aufgewachsenen Dünnfilm kristallinen Aluminiumnitrid wird aufgrund des piezoelektrischen AlN-Eigenschaften für akustische Oberflächenwellensensoren (SAWs), die auf Siliziumwafern verwendet. Eine Anwendung ist ein HF-Filter, das weit verbreitet in Mobiltelefonen verwendet wird,], die ein dünner Film bulk acoustic Resonator (FBAR) aufgerufen wird. Dies ist eine MEMS-Vorrichtung, den Gebrauch Aluminiumnitrid zwischen zwei Metallschichten angeordnet.
AlN wird auch zu bauen verwendet piezoelektrische Ultraschallwandler mikromaschinell, die aussenden und empfängt Ultraschall und der für die in-Luft-Entfernungsmessung über eine Entfernung von bis zu einem Meter verwendet werden.
Metallisierungsverfahren zur Verfügung zu ermöglichen AlN in elektronischen Anwendungen verwendet werden, ähnlich denen von Aluminiumoxid und Berylliumoxid. AlN-Nanoröhrchen als anorganische quasi-eindimensionalen Nanoröhrchen, die mit Kohlenstoff-Nanoröhrchen isoelektronisch sind, wurden als chemische Sensoren für toxische Gase vorgeschlagen.
Derzeit gibt in die Entwicklung von Leuchtdioden viel Forschung ist im Ultravioletten verwendet Galliumnitrid basierten Halbleitern und unter Verwendung der Legierung Aluminium-Gallium-Nitrid, Wellenlängen so kurz zu betreiben als 250 nm erreicht wurden. Im Jahr 2006 wurde eine ineffiziente AlN LED-Emission bei 210 nm berichtet.
Charakteristisch
Aluminiumnitrid (ALN) ist ein festes Aluminiumnitrid. Es hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit von bis zu 285 W / (m · k) und ist ein elektrischer Isolator. Seine Wurtzitphase (W-AlN) hat eine Bandlücke von ~ 6 eV bei Raumtemperatur und hat eine potentielle Anwendung in der Optoelektronik, die bei tiefen ultravioletten Frequenzen tätig ist.
Chemische Formel: Aln
Mol-Masse: 40.989 g / mol
Aussehen: weiß bis hellgelbem Feststoff
Dichte: 3,255 g / cm3
Schmelzpunkt: 2.500 ° C (4,530 ° F; 2.770 k)
Löslichkeit in Wasser: Hydrolyses (Pulver), unlöslich (monokristallin)
Unlöslich, unterliegt die Hydrolyse in Wasser-Lösungen von Basen und Säuren
Bandabstand: 6,015 eV
Elektronenmobilität: ~ 300 cm2/ (V · s)
Wärmeleitfähigkeit: 285 W / (m · K)
Brechungsindex (nD): 2,1-2,2 (Kristalle) 1,8-1,9 (amorph)
Kristallstruktur: Wurtzit
Anwendung
Epitaktisch aufgewachsenen Dünnfilm kristallinen Aluminiumnitrid wird aufgrund des piezoelektrischen AlN-Eigenschaften für akustische Oberflächenwellensensoren (SAWs), die auf Siliziumwafern verwendet. Eine Anwendung ist ein HF-Filter, das weit verbreitet in Mobiltelefonen verwendet wird,], die ein dünner Film bulk acoustic Resonator (FBAR) aufgerufen wird. Dies ist eine MEMS-Vorrichtung, den Gebrauch Aluminiumnitrid zwischen zwei Metallschichten angeordnet.
AlN wird auch zu bauen verwendet piezoelektrische Ultraschallwandler mikromaschinell, die aussenden und empfängt Ultraschall und der für die in-Luft-Entfernungsmessung über eine Entfernung von bis zu einem Meter verwendet werden.
Metallisierungsverfahren zur Verfügung zu ermöglichen AlN in elektronischen Anwendungen verwendet werden, ähnlich denen von Aluminiumoxid und Berylliumoxid. AlN-Nanoröhrchen als anorganische quasi-eindimensionalen Nanoröhrchen, die mit Kohlenstoff-Nanoröhrchen isoelektronisch sind, wurden als chemische Sensoren für toxische Gase vorgeschlagen.
Derzeit gibt in die Entwicklung von Leuchtdioden viel Forschung ist im Ultravioletten verwendet Galliumnitrid basierten Halbleitern und unter Verwendung der Legierung Aluminium-Gallium-Nitrid, Wellenlängen so kurz zu betreiben als 250 nm erreicht wurden. Im Jahr 2006 wurde eine ineffiziente AlN LED-Emission bei 210 nm berichtet.
