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Deutsch  |
22831-42-1.
Ach
133300pd.
99,5%
- 20 mesh ca. - 200 mesh
245-255-0.
UN1394.
Charakteristisch
Aluminiumarsenid oder Aluminium-Arsenid (ALAS) ist ein Halbleitermaterial mit fast derselben Gitterkonstante als Galliumarsenid und Aluminiumgalliumarsenid und breiteres Bandlücke als Galliumarsenid.
Chemische Formel: Alas
Molar Masse: 101,9031 g / mol
Aussehen: Orange Kristalle
Dichte: 3,72 g / cm3
Schmelzpunkt: 1.740 ° C (3,160 ° F; 2,010 k)
Löslichkeit in Wasser: reagiert
Löslichkeit: Reagiert in Ethanol
Band-Lücke: 2.12 eV (indirekt)
Elektronenmobilität: 200 cm2 / (v · s) (300 k)
Wärmeleitfähigkeit: 0,9 w / cm · k) (300 k)
Brechungsindex (ND): 3 (Infrarot)
Anwendung
Aluminium-Arsenid ist ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial und ist ein vorteilhaftes Material für die Herstellung von optoelektronischen Vorrichtungen, wie beispielsweise lichtemittierenden Dioden.
Aluminium-Arsenid kann mit bekannten Verfahren hergestellt werden, wie beispielsweise flüssige und Dampfphasen-Epitaxie-Techniken oder Schmelzwachstumstechniken. Aluminiumarsenid-Kristalle, die durch diese Verfahren hergestellt werden, sind jedoch im Allgemeinen instabil und erzeugt Arsine (Asche3) Wenn feuchte Luft ausgesetzt ist.
Aluminium-Arsenid kann mit bekannten Verfahren hergestellt werden, wie beispielsweise flüssige und Dampfphasen-Epitaxie-Techniken oder Schmelzwachstumstechniken. Aluminiumarsenid-Kristalle, die durch diese Verfahren hergestellt werden, sind jedoch im Allgemeinen instabil und erzeugt Arsine (Asche3) Wenn feuchte Luft ausgesetzt ist.
Charakteristisch
Aluminiumarsenid oder Aluminium-Arsenid (ALAS) ist ein Halbleitermaterial mit fast derselben Gitterkonstante als Galliumarsenid und Aluminiumgalliumarsenid und breiteres Bandlücke als Galliumarsenid.
Chemische Formel: Alas
Molar Masse: 101,9031 g / mol
Aussehen: Orange Kristalle
Dichte: 3,72 g / cm3
Schmelzpunkt: 1.740 ° C (3,160 ° F; 2,010 k)
Löslichkeit in Wasser: reagiert
Löslichkeit: Reagiert in Ethanol
Band-Lücke: 2.12 eV (indirekt)
Elektronenmobilität: 200 cm2 / (v · s) (300 k)
Wärmeleitfähigkeit: 0,9 w / cm · k) (300 k)
Brechungsindex (ND): 3 (Infrarot)
Anwendung
Aluminium-Arsenid ist ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial und ist ein vorteilhaftes Material für die Herstellung von optoelektronischen Vorrichtungen, wie beispielsweise lichtemittierenden Dioden.
Aluminium-Arsenid kann mit bekannten Verfahren hergestellt werden, wie beispielsweise flüssige und Dampfphasen-Epitaxie-Techniken oder Schmelzwachstumstechniken. Aluminiumarsenid-Kristalle, die durch diese Verfahren hergestellt werden, sind jedoch im Allgemeinen instabil und erzeugt Arsine (Asche3) Wenn feuchte Luft ausgesetzt ist.
Aluminium-Arsenid kann mit bekannten Verfahren hergestellt werden, wie beispielsweise flüssige und Dampfphasen-Epitaxie-Techniken oder Schmelzwachstumstechniken. Aluminiumarsenid-Kristalle, die durch diese Verfahren hergestellt werden, sind jedoch im Allgemeinen instabil und erzeugt Arsine (Asche3) Wenn feuchte Luft ausgesetzt ist.
